CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
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Especificações de IXTY08N100D2
| Tipo | Descrição |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FETs únicos, MOSFETs | |
| Mfr | IXYS |
| Série | Esgotamento |
| Pacote | Tubos |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 1000 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C | 800 mA (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V |
| Vgs (máximo) | ± 20V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Característica FET | Modo de esgotamento |
| Dissipação de energia (máximo) | 60 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA |
| Embalagem / Caixa | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Número do produto de base | IXTY08 |
Características doIXTY08N100D2
• Normalmente no modo Ativado
•Pacotes Padrão Internacional
• Epoxies de moldagem cumprem o critério UL94V-0Classificação da inflamabilidade
Aplicações deIXTY08N100D2
• Amplificadores de som
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protecção
• Geradores de rampa
• Reguladores actuais
• Cargas activas
Benefícios adicionaisIXTY08N100D2
• Fácil de montar
• Economia de espaço
• Alta densidade de energia
Classificações ambientais e de exportação deIXTY08N100D2
| Atributo | Descrição |
| Estatuto da RoHS | Conformidade com a ROHS3 |
| Nível de sensibilidade à humidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
| Estatuto REACH | REACH Não afectado |
| Nomenclatura | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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