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IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA

Name: IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA
Brand: Shenzhen Swift Automation Technology Co., Ltd.
SKU: IXTY08N100D2
Price: 8,250.00 USD
Availability: InStock

Nome da marca:	Original
Número do modelo:	IXTY08N100D2
MOQ:	1
preço:	negotiable
Tempo de entrega:	3-4 dias
Condições de pagamento:	TT

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Origem

Certificação:

Original

Tipo de FET:

N-canal

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

1000 V

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

800 mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

21 Ohm @ 400mA, 0V

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

14.6 nC @ 5 V

Vgs (máximo):

± 20V

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:

325 pF @ 25 V

Característica do FET:

Modo de esgotamento

Detalhes da embalagem:

Caixa de cartão

Habilidade da fonte:

100

Destacar:

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC

TO-252AA IC MOSFET de canal N

Descrição do produto

CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA

IXTY08N100D2 são deInventário de fábrica, por favor verifique suas demandas e por favor entre em contato conosco com o preço alvo.

Especificações de IXTY08N100D2

Tipo	Descrição
Categoria	Produtos de semicondutores discretos
	Transistores
	FET, MOSFET
	FETs únicos, MOSFETs
Mfr	IXYS
Série	Esgotamento
Pacote	Tubos
Estatuto do produto	Atividade
Tipo de FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)	1000 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C	800 mA (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)	± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 25 V
Característica FET	Modo de esgotamento
Dissipação de energia (máximo)	60 W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Embalagem / Caixa	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto de base	IXTY08

Características doIXTY08N100D2

• Normalmente no modo Ativado
•Pacotes Padrão Internacional
• Epoxies de moldagem cumprem o critério UL94V-0Classificação da inflamabilidade

Aplicações deIXTY08N100D2

• Amplificadores de som
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protecção
• Geradores de rampa
• Reguladores actuais
• Cargas activas

Benefícios adicionaisIXTY08N100D2

• Fácil de montar
• Economia de espaço
• Alta densidade de energia

Classificações ambientais e de exportação deIXTY08N100D2

Atributo	Descrição
Estatuto da RoHS	Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL)	1 (Ilimitado)
Estatuto REACH	REACH Não afectado
Nomenclatura	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA 0

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IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA

Nome da marca:	Original
Número do modelo:	IXTY08N100D2
MOQ:	1
preço:	negotiable
Detalhes da embalagem:	Caixa de cartão
Condições de pagamento:	TT

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Origem

Marca:

Original

Certificação:

Original

Número do modelo:

IXTY08N100D2

Tipo de FET:

N-canal

Voltagem de saída para a fonte (Vdss):

1000 V

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:

800 mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs:

21 Ohm @ 400mA, 0V

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:

14.6 nC @ 5 V

Vgs (máximo):

± 20V

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:

325 pF @ 25 V

Característica do FET:

Modo de esgotamento

Quantidade de ordem mínima:

Preço:

negotiable

Detalhes da embalagem:

Caixa de cartão

Tempo de entrega:

3-4 dias

Termos de pagamento:

Habilidade da fonte:

100

Destacar:

IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC

TO-252AA IC MOSFET de canal N

Descrição do produto

Tipo	Descrição
Categoria	Produtos de semicondutores discretos
	Transistores
	FET, MOSFET
	FETs únicos, MOSFETs
Mfr	IXYS
Série	Esgotamento
Pacote	Tubos
Estatuto do produto	Atividade
Tipo de FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)	1000 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C	800 mA (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)	± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	325 pF @ 25 V
Característica FET	Modo de esgotamento
Dissipação de energia (máximo)	60 W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Embalagem / Caixa	TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto de base	IXTY08

Atributo	Descrição
Estatuto da RoHS	Conformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL)	1 (Ilimitado)
Estatuto REACH	REACH Não afectado
Nomenclatura	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

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